Toshiba sviluppa il primo modulo MOSFET a doppio carburo di silicio (SiC) da 2200 V del settore che contribuisce all'elevata efficienza e al ridimensionamento delle apparecchiature industriali

Toshiba: MG250YD2YMS3, il primo modulo MOSFET doppio in carburo di silicio (SiC) da 2200 V del settore.

KAWASAKI, Giappone--(BUSINESS WIRE)--28 agosto 2023--

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba") ha sviluppato " MG250YD2YMS3 ", il primo modulo MOSFET a doppio carburo di silicio (SiC) da 2.200 V del settore per apparecchiature industriali. Il nuovo modulo ha una corrente di drain (CC) nominale di 250 A e utilizza chip MOSFET SiC di terza generazione dell'azienda. È adatto per applicazioni che utilizzano DC1500V, come sistemi di alimentazione fotovoltaica e sistemi di accumulo di energia. Le spedizioni in volume iniziano oggi.

Questo comunicato stampa contiene elementi multimediali. Visualizza il comunicato completo qui: https://www.businesswire.com/news/home/20230828128640/en/

Toshiba: MG250YD2YMS3, il primo modulo MOSFET doppio in carburo di silicio (SiC) da 2200 V del settore. (Grafica: Business Wire)

Le applicazioni industriali come quelle sopra menzionate utilizzano generalmente una potenza di 1.000 V CC o inferiore e i loro dispositivi di alimentazione sono per lo più prodotti da 1.200 V o 1.700 V. Tuttavia, prevedendo un utilizzo diffuso della DC1500V nei prossimi anni, Toshiba ha lanciato il primo prodotto da 2200V del settore.

MG250YD2YMS3 offre una bassa perdita di conduzione con una bassa tensione di accensione (sensore) della sorgente di drain di 0,7 V (tip.) [2]. Offre inoltre una minore perdita di commutazione all'accensione e allo spegnimento, rispettivamente di 14 mJ (tip.) [3] e 11 mJ (tip.) [3], una riduzione di circa il 90% [4] rispetto a un tipico IGBT al silicio (Si). Queste caratteristiche contribuiscono a una maggiore efficienza delle apparecchiature. La realizzazione di una bassa perdita di commutazione consente inoltre di sostituire il circuito convenzionale a tre livelli con un circuito a due livelli con un numero di moduli inferiore, contribuendo alla miniaturizzazione delle apparecchiature.

Toshiba continuerà a soddisfare le esigenze del mercato in termini di alta efficienza e ridimensionamento delle apparecchiature industriali.

Appunti:

[1] Tra i moduli MOSFET SiC doppi. Sondaggio Toshiba, agosto 2023.

[2] Condizioni di prova: ID =250A, V GS =+20V, T ch =25°C

[3] Condizioni di prova: V DD =1100 V, ID =250 A, T ch =150°C

[4] Confronto Toshiba delle perdite di commutazione per un modulo Si da 2300 V e MG250YD2YMS3, il nuovo modulo MOSFET interamente SiC, ad agosto 2023 (i valori delle prestazioni per il modulo Si da 2300 V sono una stima Toshiba basata su documenti pubblicati entro marzo 2023.)

Applicazioni

Equipaggiamento industriale

- Sistemi di generazione di energia da fonti rinnovabili (sistemi fotovoltaici, ecc.)

- Sistemi di accumulo dell'energia

- Apparecchiature di controllo motore per apparecchiature industriali

- Convertitore DC-DC ad alta frequenza, ecc.

Caratteristiche

Specifiche principali

(T c =25°C se non diversamente specificato)

Numero di parte

MG250YD2YMS3

Nome del pacchetto Toshiba

2-153A1A

Assoluto

massimo

giudizi

Tensione drain-source V DSS (V)

2200

Tensione gate-source V GSS (V)

+25/-10

Corrente assorbita (CC) ID (A)

250

Corrente assorbita (impulsiva) I DP (A)

500

Temperatura canale T ch (°C)

150

Tensione di isolamento V isol (Vrms)

4000

Elettrico

caratteristiche

Tensione di alimentazione drain-source (sensore)

VDS(on)senso (V)

ID =250A, VGS =+20V,

Tch ＝25°C

tip.

0,7

Tensione di alimentazione source-drain (senso)

V Rilevamento(attivazione)SD (V)

IS =250A, VGS =+20V,

Tch ＝25°C

tip.

0,7

Tensione di disattivazione source-drain (sensore)

V Rilevamento (fuori)SD (V)

IS ＝250A, VGS =-6V,

Tch ＝25°C

tip.

1.6

Perdita di commutazione all'accensione

E acceso (mJ)

VDD =1100V,

ID =250A, Tch ＝150°C

tip.

Perdita di commutazione allo spegnimento

E spento (mJ)

tip.

Induttanza parassita L sPN (nH)

tip.

Segui il link sottostante per ulteriori informazioni sul nuovo prodotto.

MG250YD2YMS3

Segui il collegamento sottostante per ulteriori informazioni sui dispositivi di alimentazione SiC di Toshiba.

Dispositivi di potenza SiC

*I nomi delle società, dei prodotti e dei servizi possono essere marchi delle rispettive società.

* Le informazioni contenute in questo documento, inclusi i prezzi e le specifiche dei prodotti, il contenuto dei servizi e le informazioni di contatto, sono aggiornate alla data dell'annuncio ma sono soggette a modifiche senza preavviso.